黄仁勋称 2029 年不太可能出现内存过剩，英伟达仍会大量使用

英伟达CEO黄仁勋在CNBC采访中明确表示，到2029年内存芯片行业不太可能出现产能过剩的情况。此前一周，存储板块因市场对产能过剩和需求放缓的担忧遭遇集中抛售，黄仁勋的表态为市场提供了另一种视角。

黄仁勋特别强调了高带宽内存（HBM）在未来数年内仍将被持续广泛采用。HBM是当前AI训练和推理芯片的核心组件，英伟达的H100、H200及后续Blackwell系列加速器均依赖HBM实现高带宽数据吞吐，其需求与AI算力建设直接挂钩。

此外，黄仁勋提到英伟达是全球首家将手机级LPDDR内存引入数据中心的企业，称这使其能提供比现有产品高出一倍能效的性能。这一技术路线反映了AI数据中心在能效比方面的持续优化需求，也意味着内存供应商的订单结构可能进一步向AI场景倾斜。

从产业角度看，黄仁勋的判断意味着存储芯片厂商（如SK海力士、三星、美光）在HBM领域的扩产计划仍有支撑，短期内不太可能面临需求断崖。但需注意，这一观点来自AI芯片需求方，其乐观预期是否完全反映终端市场的实际采购节奏，仍需后续数据验证。

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