谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

谦合益邦此次发布的芯片实现了全球首次4层DRAM垂直高密度集成。通过"4+1"三维堆叠架构，将计算与存储在三维空间深度融合，从物理结构上改变了传统芯片的设计范式。

传统架构中计算与存储分离导致数据搬运能耗高、延迟大，形成制约算力的"内存墙"。存算一体技术通过缩短数据移动距离，能显著提升能效比，这对高负载的 AI 大模型训练与推理至关重要。

该芯片从技术验证迈入工程落地阶段，意味着存算一体架构在商业化上取得关键进展。这可能推动 AI 算力硬件向更高能效、更低成本的方向演进，为边缘 AI 及数据中心提供新的硬件选择。

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